загрузка...
загрузка...
На головну

фоторезистор

Фоторезистором називають напівпровідниковий резистор, опір якого чутливо до електромагнітного випромінювання в оптичному діапазоні спектра. Схематичне зображення структури фоторезистора наведено на рис. 6.5,а, А його умовне графічне зображення - на рис. 6.5,б.

Потік фотонів, що падають на напівпровідник, викликає поява пар електрон-дірка, Збільшують провідність (зменшують опір). Це явище називають внутрішнім фотоефектом (ефектом фотопроводимости). Фоторезистори часто характеризуються залежністю струму i від освітленості Е при заданій напрузі на резисторі. Це так звана люкс-амперна характеристика (рис. 6.6).

Мал. 6.5. структура (а) І схематичне позначення (б) фоторезистора

Мал. 6.6. Люкс-амперна характеристика фоторезистора ФСК-Г7

Часто використовують такі параметри фоторезисторів:

· Номінальне темновое (при відсутності світлового потоку) опір (для ФСК-Г7 це опір дорівнює 5 МОм);

· Інтегральну чутливість (чутливість, яка визначається при освітленні фоторезистора світлом складного спектрального складу).

Інтегральна чутливість (струмовий чутливість до світлового потоку) S визначається виразом:

,

де iф - Так званий фототок (різниця між струмом при освітленні і струмом при відсутності освітлення);

Ф - світловий потік.

Для фоторезистора ФСК-Г7 S= 0,7 А / лм.

оптоелектронні прилади «-- попередня | наступна --» фотодіод
загрузка...
© om.net.ua