загрузка...
загрузка...
На головну

бар'єрні ємності

дифузійні ємності

ємності транзистора

Зміни емітерного і колекторного напруги викликають зміна заряду дифундують по базі носіїв. А з електрики відомо, що зміна заряду при зміні напруги - це ємність. У транзисторі розрізняють дві дифузійних ємності - колекторного і емітерного переходів. Однак ці ємності на практиці не використовуються. Ємність емітерного переходу через те, що враховують залежність коефіцієнта переносу від частоти, а диффузионную ємність колекторного переходу через її малості.

У транзисторі p-n-переходить розглядаються як плоскі конденсатори. Так як ширина переходу залежить від напруги, то ємності транзистора теж залежать від напруги. При прямому зміщенні переходу ємність зменшується (емітерний перехід), при зворотному збільшується (колекторний перехід).

Ємність емітерного переходу разом з диференціальним опором переходу утворює -ланцюжок з постійною часу , Яка впливає на коефіцієнт інжекції. Однак вплив коефіцієнта інжекції на частотні властивості коефіцієнта передачі транзистора дуже малий в порівнянні з впливом коефіцієнта переносу. Тому ємність емітерного переходу на практиці не враховується.

Ємність колекторного переходу з урахуванням зсуву переходу визначається відомою з теорії діодів формулою:

, .

Спільно з диференціальним опором колектора вона становить RС-ланцюжок з постійною часу , Яка впливає на частотні та перехідні властивості транзистора.

Об'ємний опір бази «-- попередня | наступна --» Вольт-амперні характеристики транзистора
загрузка...
© om.net.ua