загрузка...
загрузка...
На головну

Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі

Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі:

.

Його можна знайти з вхідних характеристик транзистора в Відповідно до даного визначення. У скороченій формі явний вигляд такий: , Де коефіцієнт включає в себе параметри матеріалу, з якого зроблений транзистор, і товщину бази. З формули випливає залежність коефіцієнта зворотного зв'язку по напрузі від режиму і температури (рис. 5.5). чисельне значення невелика, складає десятитисячні частки. Наприклад, при зміні на 10 В викликає зміна напруги на емітерний перехід близько 2 мВ. Знак мінус говорить про те, що збільшення колекторного напруги (по модулю) зменшує емітерний напруга.

Слід зазначити, що, будучи породженням ефекту Ерлі, коефіцієнт зворотного зв'язку залежить від опору бази. У транзистора база складається з активної і пасивної частин. У пасивної бази товщина не змінюється, а у активної змінюється. Саме в активній базі йде дифузія носіїв, інжектіруемих емітером. Тому активну частину бази характеризують дифузійним опором бази . Бази транзисторів, особливо малої геометрії, прагнуть звести до чисто активної області. Тому будемо вважати що и одне і теж. З допоміжного малюнка (рис. 5.6) випливає, що

.

Поділивши обидві частини на , Отримаємо:

.

З цієї формули більш наочно видно те, що з ростом колекторного напруги зростає , а зменшується.

Диференціальний опір колекторного переходу «-- попередня | наступна --» Об'ємний опір бази
загрузка...
© om.net.ua