загрузка...
загрузка...
На головну

одноперехідний транзистор

Дивіться також:
  1. H - параметри транзистора
  2. Автономний інвертор напруги на транзисторах
  3. Активний режим роботи біполярного транзистора
  4. Аналіз роботи і режими роботи транзисторного генератора із зовнішнім збудженням
  5. Аналогові схеми на транзисторах. Базові підсилювальні каскади.
  6. Балансний каскад на біполярних транзисторах
  7. Балансний каскад на польових транзисторах
  8. біполярні транзистори
  9. біполярні транзистори
  10. біполярні транзистори
  11. біполярні транзистори
  12. біполярні транзистори

Польовий транзистор з індукованим каналом

Технологія ПТ з індукованим каналом аналогічна попередній однак канал в цьому випадку не створюється канал індукується за рахунок концентрації електронів біля затвора під дією позитивної напруги на затворі. Тому при нульовій напрузі струм стоку дорівнює нулю.

Напівпровідниковий прилад c p-n переходом включений в прямому напрямку і службовець для генерації, посилення і перемикання сигналів.

 Область бази виконується з високоомного напівпровідника з малою концентрацією домішок. Область емітера навпаки p-n перехід включений в прямому напрямку, т. Е. Через емітер протікає значний струм.

 При нульовій різниці потенціалів між Е. і Б2 ток емітера дорівнює нулю. При перевищенні потенціалу на емітер щодо Б2 по абсолютній величині (на Е. "-" більше, ніж на Б2) відбувається незначне збільшення струму до напруги Uвкл (Див. Рис), при досягненні його відбувається лавинний процес переходу електронів з Е, в Б., при цьому різко збільшується струм бази і збільшується падіння напруги на Rн; відбувається перерозподіл напружень між Е.-Б2, Rн і Б1-Е., тому вхідні ВАХ має ділянку з негативним опором, його-то і використовують для підсилюючих властивостей.

Польовий транзистор з p-n-переходом. «-- попередня | наступна --» тринистор
загрузка...
© om.net.ua