загрузка...
загрузка...
На головну

СХЕМИ ВКЛЮЧЕННЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Дивіться також:
  1. D-схеми (Dynamic).
  2. II. Вибір схеми розміщення товарів на складі
  3. N-КАНАЛЬНІ МОП-СХЕМИ
  4. V2: Включення
  5. Автоматизовані пристрої включення резерву
  6. Алгоритм вибору схеми установки деталі
  7. Алгоритм роботи схеми
  8. Аналогово-цифрові схеми
  9. Аналогово-цифрові схеми
  10. Аналогові схеми на транзисторах. Базові підсилювальні каскади.
  11. Базові схеми управління процесом навчання
  12. Барабанні сканери та їх схеми. Метод нерізкого маскування.

Існує три схеми включення транзистора:

1. Схема з загальним емітером, Коли емітер є загальним для вхідний і вихідний ланцюгів транзистора.

2. Схема з загальною базою , Коли база є загальним для вхідний і вихідний ланцюгів транзистора.

3. Схема з загальним колектором, (Емітерний повторювач).

Схема із загальним емітером

 Дана схема є основною схемою включення транзистора в усилительном каскаді, так як вона має максимальний коефіцієнт посилення по току, по напрузі і відповідно по потужності.

КI = Iк/ Iб

КU = Uвих/ Uвх = (Iк? Rк) / (Iб? Rб)

Rб1 і Rб2 сотні кому, забезпечують зсув потенціалу бази щодо потенціалу емітера.

Rб - Вхідний опір транзистора, яке характеризується опором переходу Е-Б включає власне опір бази.

Коефіцієнт посилення вимірюється в децибелах:

Ку = 20 ? lgК

Приклад: перевести 100 дБ в «рази»

100/20 = 5 в разах це 105 раз

Коефіцієнт посилення по струму для схеми із загальним емітером Ку = Iк / Iб,

Iб = 0,1% ? Iэ

Ку = (Iэ - Iб) / Iб = (Iэ - 0,001? Iэ) / 0,001? Iэ = (0,999? Iэ) / (0,001? Iэ) = 999 »1000 = 103;

3 ? 20 = 60 дБ - коефіцієнт досить високий

Недоліком схеми є відносно низький вхідний опір і відносно високий вихідний опір. Вхідний десятки кОм, вихідна сотні Ом по відношенню до схеми із загальним колектором. Ще один недолік цієї схеми - різка залежність емітерного струму від температури навколишнього середовища. Для зниження цієї залежності в ланцюг емітера вводять негативний зворотний зв'язок по току.

Дія негативного зворотного зв'язку здійснюється за рахунок передачі з вихідний частини ланцюга енергії в протифазі до вхідної. При зростанні температури струм в Е. Зростає, тим самим збільшується падіння напруги на Rэ, Тим самим знижується різниця потенціалів між Б. і Е., а це тягне зниження струму Е., таким чином компенсується зростання температури.

Ємність Сэ необхідна для виключення зворотного зв'язку по змінному струмі (т. е. за сигналом).

 
 

Лекція № 5.

На низьких частотах шунтування конденсатором практично не позначається внаслідок його великого опору згідно вищенаведеної формулою. На високих частотах (частотах сигналу) конденсатор шунтує опір RЭ і дію негативного зворотного зв'язку (ООС) не позначається.

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ. «-- попередня | наступна --» Польовий транзистор з p-n-переходом.
загрузка...
© om.net.ua