загрузка...
загрузка...
На головну

ізоляція діелектриком

Дивіться також:
  1. VI. 11. Теплова ізоляція трубопроводів теплової мережі.
  2. Паперово-масляна ізоляція. Загальні відомості
  3. Паперово-просочена ізоляція
  4. Паперово-просочена ізоляція
  5. Паперово-просочена ізоляція
  6. Вакуумна ізоляція.
  7. ЗОВНІШНЯ ІЗОЛЯЦІЯ І КООРДИНАЦІЯ ІЗОЛЯЦІЇ
  8. Газова і вакуумна ізоляція.
  9. газова ізоляція
  10. газова ізоляція
  11. Закон 18. Не корч фортець, щоб захистити себе: ізоляція небезпечна
  12. Ізоляція повітряних ліній електропередач

Епік-процес - Історично, перший спосіб ізоляції діелектриком.

- На підкладці з n-типу Si формується сильно легований шар (n +), основа майбутнього прихованого шару;

- Через маску в пластині витравлюються канавки глибиною 3-10 мкм;

- Поверхню всієї пластини окислюється;

- Вирощують товстий шар полікристалічного кремнію товщиною близько 300 мкм (товщина підкладки);

- Підкладку сошліфовивают, отримуючи кишені n-типу з шаром (n +) на дні, кишені ізольовані діелектриком;

- У цих кишенях формують транзистори.

Технологія досить складна, основні труднощі точна шліфовка.

Технологія кремній на сапфірі (КНС) (Silicon On Sapphire {SOS}).

монокристалічний Al2O3 і Si мають однакову кристалографічну структуру, постійні решіток близькі. З цього кремній утворює на сапфірі монокристалічного плівку. На всій поверхні сапфіровою підкладки вирощують шар n-Si товщиною 2-3 мкм. За тим через маску в шарі n-Si витравлюються канавки до Al2O3. В результаті утворюються острівці, відокремлені один від одного повітряними проміжками. У цих острівцях формують транзистори. Недолік - рельєфність, яка утрудняє формування металевої розводки

Ізоляція колекторної дифузією «-- попередня | наступна --» Комбіновані способи ізоляції
загрузка...
© om.net.ua